具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
具有集成驅(qū)動器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET
具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET
具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET
具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模 式的汽車類 650V、30m? GaN FET
適用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和內(nèi)部鉗位的汽車類 3.0kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
具有 5V UVLO 和 3.3mm 通道間距的汽車類 5.7kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器
具有 8V UVLO 和 3.3mm 通道間距選項的 5.7kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器
具有 8V/12V UVLO 的汽車類 3.75kVrms、4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器
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